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(資料圖)

智通財(cái)經(jīng)APP獲悉，納微半導(dǎo)體(NVTS.US)宣布在研發(fā)先進(jìn)的800伏直流(800 VDC)氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率器件方面取得進(jìn)展，以支持英偉達(dá)(NVIDIA)最新發(fā)布的用于下一代人工智能(AI)計(jì)算平臺(tái)的800高壓直流(HVDC)架構(gòu)。受此消息提振，納微半導(dǎo)體周一美股收漲21.14%，盤后再漲超30%。

數(shù)據(jù)顯示，納微半導(dǎo)體股價(jià)在過去六個(gè)月內(nèi)狂飆逾350%。今年5月，5月21日，納微半導(dǎo)體公司宣布與英偉達(dá)合作開發(fā)下一代800伏高壓直流(HVDC)架構(gòu)，為包括Rubin Ultra在內(nèi)的GPU提供支持的“Kyber”機(jī)架級(jí)系統(tǒng)供電。納微半導(dǎo)體的氮化鎵和碳化硅技術(shù)將在這一合作中發(fā)揮關(guān)鍵作用。

據(jù)悉，新的電源架構(gòu)旨在解決AI工廠(即專為大規(guī)模人工智能與高性能計(jì)算負(fù)載而設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)中心)中的電力分配挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)的機(jī)架內(nèi)54伏電源分配已無法滿足多兆瓦級(jí)機(jī)柜的功率密度需求。憑借流動(dòng)比率高達(dá)8.23、債務(wù)股權(quán)比僅為0.02的強(qiáng)勁資產(chǎn)負(fù)債表，納微半導(dǎo)體在為其技術(shù)進(jìn)步項(xiàng)目提供資金方面處于有利地位。

根據(jù)該公司新聞稿，這種800伏直流配電系統(tǒng)可在數(shù)據(jù)中心內(nèi)實(shí)現(xiàn)從公用電力到800伏直流的直接轉(zhuǎn)換，從而消除多個(gè)傳統(tǒng)轉(zhuǎn)換階段。這種方法旨在最大化能效、減少能量損耗，并提升系統(tǒng)可靠性。

納微半導(dǎo)體推出了一款專為GPU電源板上低電壓DC-DC轉(zhuǎn)換階段設(shè)計(jì)的新型100伏GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品組合。該公司表示，這些元件通過與Power Chip的戰(zhàn)略合作，在200毫米GaN-on-Si工藝上制造。此外，納微半導(dǎo)體還提供650伏GaN產(chǎn)品和高壓SiC MOSFET，用于支持?jǐn)?shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施中不同階段的電力轉(zhuǎn)換。

納微半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Chris Allexandre在聲明中表示：“隨著英偉達(dá)引領(lǐng)AI基礎(chǔ)設(shè)施的變革，我們很自豪能以先進(jìn)的GaN和SiC電源解決方案支持這一轉(zhuǎn)型，為下一代數(shù)據(jù)中心提供所需的高效性、可擴(kuò)展性和可靠性。”

該公司將其技術(shù)定位為支持現(xiàn)代AI數(shù)據(jù)中心從“電網(wǎng)到GPU”的全鏈路電力系統(tǒng)，為包括英偉達(dá)Rubin Ultra在內(nèi)的先進(jìn)計(jì)算平臺(tái)提供高壓配電與負(fù)載端轉(zhuǎn)換的整體解決方案。

此外，納微半導(dǎo)體宣布管理層變動(dòng)，Chris Allexandre將于2025年9月1日正式接任公司總裁兼首席執(zhí)行官，接替聯(lián)合創(chuàng)始人Gene Sheridan。在此背景下，Rosenblatt維持對(duì)納微半導(dǎo)體的“買入”評(píng)級(jí)，但將目標(biāo)價(jià)下調(diào)至8.00美元，理由是盡管該公司季度業(yè)績(jī)符合預(yù)期，但未來指引低于市場(chǎng)一致預(yù)期。